SI2314DS-T1-E3-VB

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  • Product SI2314DS-T1-E3-VB
  • Package SOT23-3
  • Polarity Single-N
  • Technology Trench
  • VDS/VCE(V) 20V
  • VGS/VGE(±V) ±12V
  • ID/ICE (A) 0.5~1.5V
  • Vthtyp(V) 6A
  • RDS(2.5V) (mΩ) 42(mΩ)
  • RDS(4.5V) (mΩ) 28(mΩ)
  • RDS(10V) (mΩ) (mΩ)
  • 数量1---USD价格 0.0485
  • 数量10---USD价格 0.0445
  • 数量30---USD价格 0.0404
  • 数量100---USD价格 0.0344

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This N-channel MOSFET is suitable for low voltage and low power applications and is often used in portable electronic devices and small electronic circuits to provide efficient current control and power management.

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